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高速光谱椭偏仪UNECS系列的测量示例
测量示例（重复性是连续10次获得的测量结果的标准偏差（1σ））
1.有机EL：Alq3 /玻璃 单层膜
用4个样品测量膜厚和折射率，膜厚能获得和触针式段差计非常高的相关性。
| 样品 | A | B | C | D | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 测量对象 | 折射率 | 膜厚 | 折射率 | 膜厚 | 折射率 | 膜厚 | 折射率 | 膜厚 |
| N | D(nm) | N | D(nm) | N | D(nm) | N | D(nm) | |
| UNECS测量值 | 1.712 | 118.5 | 1.728 | 115.8 | 1.731 | 115.0 | 1.729 | 112.1 |
| 触针式段差计 | － | 118.4 | － | 111.8 | － | 116.1 | － | 109.3 |
2.薄膜太阳能电池：SiO2 /μc-Si/玻璃 2层膜
可以毫无问题地测量大约20nm的SiO2薄膜。 总膜厚（SiO2 +μc-Si）能得到和触针式段差计非常高的相关性。
| 样品 | A | B | C | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 测量膜 | μc-Si | SiO2 | μc-Si+ SiO2 |
μc-Si | SiO2 | μc-Si+ SiO2 |
μc-Si | SiO2 | μc-Si+ SiO2 |
| UNECS测量值 | 509.9 | 18.2 | 528.1 | 523.2 | 13.8 | 537.0 | 518.8 | 21.7 | 540.4 |
| 触针式段差计 | － | － | 525.4 | － | － | 541.4 | － | － | 546.3 |
3. SiO2单层膜
即使对于约2nm的薄膜，重现性（重复性）也很好。
| 测量值 *1) | 重复性σ | |
|---|---|---|
| SiO2膜厚 | 1.96 nm | 0.03 nm |
4.抵抗单层薄膜（同时测量膜厚和折射率）
即使对于约2nm的薄膜，重现性（重复性）也很好。
| 测量值 *1) | 重复性σ | |
|---|---|---|
| 抵抗膜厚 (设计膜厚50nm) | 50.95 nm | 0.05 nm |
| 抵抗折射率 *2) | 1.576 | 0.02 |
5.抵抗/ BARC 2层膜
| 测量值* 1） | 重复性σ | |
|---|---|---|
| 抵抗膜厚（设计膜厚50nm） | 48.17 nm | 0.72 nm |
| BARC膜厚（设计膜厚65nm） | 67.16 nm | 0.76 nm |
6.抵抗 3层膜（同时测量薄膜厚度和折射率）
同时测量最上层表面涂层的膜厚和折射率。
| 测量值 *1) | 重复性σ | |
|---|---|---|
| 表面涂层膜厚 (设计膜厚30nm) | 28.79 nm | 0.05 nm |
| 表面涂层折射率 *2) | 1.342 | 0.001 |
7. ALD成膜 HfO2（二氧化铪）极薄膜
在硅片中心附近测得的HfO2膜厚度（5.85nm，2.46nm）与TEM（透射型电子显微镜）测得的值（6.0nm，2.5nm）几乎一致。 （已确认UNECS的测量可靠性）
【测量模型】
| 膜种 | |
|---|---|
| 最上层 | HfO2 |
| 中间层 | SiO2 |
| 基板 | Si硅片 |
【测量结果】
| 样品 | 膜厚 | 中心附近的膜厚 （nm） |
|||
|---|---|---|---|---|---|
| 最大值 （nm） |
最小值 （nm） |
平均值 （nm） |
均一性 （%） |
||
| 5nm Hfo2/自然氧化膜/Si基板 | 6.12 | 5.63 | 5.83 | 4.2% | 5.85 |
| 2nm Hfo2/自然氧化膜/Si基板 | 2.56 | 2.37 | 2.45 | 3.9% | 2.46 |
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