赤外線ゴールドイメージ炉/RTA装置
雰囲気可変型ランプ加熱装置

低コストで80℃/sの高速アニールが可能。
本装置は、放物面反射赤外線ランプにより、4-6インチサイズのウエハを均一に加熱することを目的とした赤外線ランプ装置です。
高速熱処理が可能で、熱処理プロセスの研究・開発用装置として手軽にご利用いただけます。
個別半導体プロセスのシリサイド形成や酸化膜形成、化合物半導体のプロセスアニールが可能です。

太陽電池/化合物半導体等のプロセス開発や様々なアプリケーションとセットアップが可能。
QHC・VHCシリーズは赤外線ゴールドイメージ炉と温度コントローラを組合せ、さらに石英の熱処理チャンバをコンパクトに装備した高速加熱・冷却装置です。
お客様のニーズに合わせたカスタマイズが可能です。