スパッタリング装置

スパッタリング装置

RFS-201

アルバック

RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。
金属、半導体、絶縁物の成膜が可能なため、基礎研究開発等の実験用に最適です。

特長

  • 絶縁物・金属・半導体材料のスパッタ装置です。
  • メインポンプに油拡散ポンプを使用しています。
  • Φ80mm×1基のカソードで、単層成膜が可能です。
  • コンベンショナルスパッタで、スパッタ速度20nm/min(SiO2)が得られます。

仕様

型式 RFS-201
真空性能 到達圧力 6.6×10-4Pa
排気時間 6.6×10-3Pa/5min
真空槽 真空槽 金属チャンバー(200mm(W)×250mm(D)×150mm(H))
カソード Φ80mm、1元
基板推奨サイズ Φ80mm×t1-5mm
有効成膜範囲 50mm
成膜速度 SiO2 成膜にて、20nm/min以上
膜厚分布 SiO2 成膜にて、50mm領域±8%以内
基板加熱温度 Max 350℃
基板/電極間距離 30~50mm(可変)
排気系 メインポンプ 油拡散ポンプ(水冷) 150L/sec
液体窒素トラップ オプション
補助ポンプ 油回転真空ポンプ 100L/min
オイルミストトラップ オイルミストトラップ OMT-100A
操作系 メインバルブ クラッパーバルブ
補助バルブ 三方向バルブ
自動リークバルブ オプション
操作 手動
制御系 RF電源 Max 300W (0~300W可変)
ピラニ真空計 G-TRAN
電離真空計 オプション
設置 最大寸法 764mm(W)×723mm(D)×1648mm(H)
質量 260kg

ユーティリティ

型式 RFS-201
所要電気量 200V 単相 50/60Hz 2.8kVA
アース端子 A種 (接地抵抗値 10Ω以下)
所要水量 5.0 L/min (水温:25℃以下、水圧:200?300kPa (ゲージ圧))
取り合い (電源) ビニルキャプタイヤケーブル(R2-5 圧着端子付) 4m
取り合い (アース) アースケーブル(銅板) 4m
取り合い (水) テトロンブレードホース(内径9mm×外径15mm)、4m(2本)

寸法図

zu_rfs201.gif

真空槽内部構成

基本構成

zu_rfs201_fc.gif

[1] 筐体
[2] 陰極
[3] 陽極
[4] シャッター
[5] 電流導入端子
[6] 熱電対導入端子
[7] ゲージポート
[8] ホルダー
[9] バッキングプレート
[10] ターゲット
[11] 予備ポート
[12] 正面扉

ホルダー図

[標準]

zu_rsf200_holder.gif

※研究開発の目的に合わせて、カスタマイズいたします。

オプショナルパーツ

●液体窒素トラップ ●電離真空計
●マグネトロン電極 ●インライントラップ(OMI-100)
●ターボ分子ポンプ ●DC電源
●導入ガス2系統、3系統 ●油回転真空ポンプ自動リークバルブ

この製品に関するお問い合わせ

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