スパッタリング装置

スパッタリング装置

VTR-151M/SRF

アルバック

RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。
金属、半導体、絶縁物の成膜が可能なため、基礎研究開発等の実験用に最適です。

特長

  • 絶縁物・金属・半導体材料のスパッタ装置です。
  • メインポンプにターボ分子ポンプを使用しています。
  • 2インチ×3基のカソードで、3層までの多層成膜が可能です。
  • マグネトロンスパッタで、スパッタ速度30nm/min(SiO2)が得られます。
  • 基板加熱機構(350℃)を搭載しています。

仕様

型式 VTR-151M/SRF (SCOTT-C3)
真空性能 到達圧力 6.6×10-4Pa
排気時間 6.6×10-3Pa/5min
真空槽 真空槽 金属チャンバー(内径Φ310.5mm×高さ160mm)
カソード 2インチ、3元
基板推奨サイズ Φ2インチ(Φ50.8mm) ×t1mm
有効成膜範囲 25mm
成膜速度 SiO2 成膜にて、30nm/min以上
膜厚分布 SiO2 成膜にて、25mm領域±10%以内
基板加熱温度 Max 350℃
基板/電極間距離 50mm ~ 90mm (可変:半固定)
排気系 メインポンプ ターボ分子ポンプ 250L/sec
液体窒素トラップ
補助ポンプ 油回転真空ポンプ 200L/min
オイルミストトラップ オイルミストトラップ OMT-200A
操作系 メインバルブ バタフライバルブ
補助バルブ 三方向バルブ
自動リークバルブ オプション
操作 手動
制御系 RF電源 Max 300W (0~300W可変)
ピラニ真空計 GP-1GRY
電離真空計 ISG1/SH2-1
設置 最大寸法 1081mm(W)×853mm(D)×1104mm(H)
質量 400kg

ユーティリティ

型式 VTR-151M/SRF (SCOTT-C3)
所要電気量 200V 単相 50/60Hz 3.5kVA
アース端子 A種 (接地抵抗値 10Ω以下)
所要水量 2.0 L/min (水温:25℃以下、水圧:200kPa (ゲージ圧))
取り合い (電源) ビニルキャプタイヤケーブル(先バラ) 4m R3.5-5圧着端子付
取り合い (アース) アースケーブル(先バラ) 4m R5.5-8圧着端子付
取り合い (水) テトロンブレードホース(内径9mm×外径15mm)、4m(2本)

寸法図

zu_scott_c3.gif

真空槽内部構成

基本構成

zu_scott_fc.gif

[1] 封止フランジ
[2] 電極仕切り板
[3] 陰極
[4] ガス導入
[5] 覗き窓
[6] シャッターハンドル
[7] シャッター
[8] ベントバルブ
[9] ゲージポート

ホルダー図

[標準]

zu_scott_holder01.gif

[特型例]

zu_scott_holder02.gif

※研究開発の目的に合わせて、カスタマイズいたします。

オプショナルパーツ

●ガス導入追加 ●DC電源
●マスフロコントローラー ●Φ4インチ 1元
●基板加熱 600℃(チャンバー水冷)

この製品に関するお問い合わせ

このサイトでは、お客様の利便性や利用状況の把握などのためにCookieを使用してアクセスデータを取得・利用しています。Cookieの使用に同意する場合は、
「同意しました」をクリックしてください。「個人情報保護方針」「Cookie Policy」をご確認ください。

同意しました