スパッタリング装置 Model: VTR-151M/SRF
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Model: VTR-151M/SRFの導入・購入・検討について
RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。
金属、半導体、絶縁物の成膜が可能なため、基礎研究開発等の実験用に最適です。
特長
- 絶縁物・金属・半導体材料のスパッタ装置です。
- メインポンプにターボ分子ポンプを使用しています。
- 2インチ×3基のカソードで、3層までの多層成膜が可能です。
- マグネトロンスパッタで、スパッタ速度30nm/min（SiO2）が得られます。
- 基板加熱機構（350℃）を搭載しています。
仕様
| Model | VTR-151M/SRF (SCOTT-C3) | |
| 真空性能 | 到達圧力 | 6.6×10-４Pa |
| 排気時間 | 6.6×10-３Pa/5min | |
| 真空槽 | 真空槽 | 金属チャンバー（内径Φ310.5mm×高さ160mm) |
| カソード | 2インチ、3元 | |
| 基板推奨サイズ | Φ2インチ（Φ50.8mm） ×t1mm | |
| 有効成膜範囲 | 25mm | |
| 成膜速度 | SiO2 成膜にて、30nm/min以上 | |
| 膜厚分布 | SiO2 成膜にて、25mm領域±10％以内 | |
| 基板加熱温度 | Max 350℃ | |
| 基板／電極間距離 | 50mm ～ 90mm （可変：半固定） | |
| 排気系 | メインポンプ | ターボ分子ポンプ 250L/sec |
| 液体窒素トラップ | ー | |
| 補助ポンプ | 油回転真空ポンプ 200L/min | |
| オイルミストトラップ | オイルミストトラップ OMT-200A | |
| 操作系 | メインバルブ | バタフライバルブ |
| 補助バルブ | 三方向バルブ | |
| 自動リークバルブ | オプション | |
| 操作 | 手動 | |
| 制御系 | RF電源 | Max 300W (0～300Ｗ可変） |
| ピラニ真空計 | GP-1GRY | |
| 電離真空計 | ISG1/SH2-1 | |
| 設置 | 最大寸法 | 1081mm（W）×853mm（D）×1104mm（H） |
| 質量 | 400kg | |
ユーティリティ
| Model | VTR-151M/SRF (SCOTT-C3) |
| 所要電気量 | 200V 単相 50/60Hz 3.5kVA |
| アース端子 | Ａ種 （接地抵抗値 10Ω以下） |
| 所要水量 | 2.0 L／min (水温:25℃以下、水圧:200ｋＰａ （ゲージ圧）） |
| 取り合い （電源） | ビニルキャプタイヤケーブル（先バラ） 4ｍ Ｒ3.5-5圧着端子付 |
| 取り合い （アース） | アースケーブル（先バラ） 4ｍ Ｒ5.5-8圧着端子付 |
| 取り合い （水） | テトロンブレードホース（内径9mm×外径15mm）、4m（2本） |
寸法図
真空槽内部構成
基本構成
| [1] | 封止フランジ |
| [2] | 電極仕切り板 |
| [3] | 陰極 |
| [4] | ガス導入 |
| [5] | 覗き窓 |
| [6] | シャッターハンドル |
| [7] | シャッター |
| [8] | ベントバルブ |
| [9] | ゲージポート |
ホルダー図
[標準]
[特型例]
※研究開発の目的に合わせて、カスタマイズいたします。
オプショナルパーツ
| ●ガス導入追加 | ●DC電源 |
| ●マスフロコントローラー | ●Φ４インチ １元 |
| ●基板加熱 600℃（チャンバー水冷） |
