赤外線ゴールドイメージ炉/RTA装置
卓上型ランプ加熱装置
MILA-5050
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MILA-5050の導入・購入・検討について
本装置は、試料寸法50mm 角までの熱処理を可能とした卓上型ランプ加熱装置です。
試料寸法20mm 角までの加熱装置として、卓上型ランプ加熱装置MILA-5000 シリーズを発売以来、多くのお客様にご愛用いただいておりますが、「もう少し大きい試料の熱処理がしたい」というお客様のご要望にお応えし、加熱炉、チャンバ、温度制御器を一体にしたコンパクトなボディはそのままに、50mm 角までの熱処理を可能といたしました。
試料寸法20mm 角までの加熱装置として、卓上型ランプ加熱装置MILA-5000 シリーズを発売以来、多くのお客様にご愛用いただいておりますが、「もう少し大きい試料の熱処理がしたい」というお客様のご要望にお応えし、加熱炉、チャンバ、温度制御器を一体にしたコンパクトなボディはそのままに、50mm 角までの熱処理を可能といたしました。
特長
- 試料サイズ最大50mm角まで熱処理可能
- 最高温度は1200℃
- 高速加熱冷却が可能な赤外線ゴールドイメージ炉と加熱チャンバ、温度制御器を一体化した卓上型加熱装置
- お手持ちのパソコンから温度プログラム設定や外部信号の入力が簡単に実行可能
- 加熱中の温度データをパソコン上に表示する事が可能
用途
- Si ウエハ、化合物ウエハの高速加熱
- 光CVD の基板加熱などのエレクトロニクス材料の高速加熱
- ガラス基板、セラミックス、複合材料などの熱処理
- 熱サイクル試験
- 金属材料の焼鈍
- コーティング膜の耐熱評価
- 有機材料、樹脂類の加熱、乾燥
仕様
| 温度範囲 | RT ～ 1200℃ |
|---|---|
| 昇温速度 | 50℃ /s |
| 試料寸法 | 角 50 または Φ 50mm × 厚 5mm |
| 加熱雰囲気 | 真空中、各種ガスフロー中 |
※真空排気装置はオプション
※加熱温度は、加熱物の赤外線反射・吸収、熱容量と材質により異なります。
測定データ
@ 500℃、Δt = 3.2℃
A 800℃、Δt = 0.6℃
B 1000℃、Δt = 4.2℃
C 1200℃、Δt = 2.6℃
試料系 （２インチ試料測定時）
2インチ用SiCコートカーボンサセプタおよび透明石英試料ホルダは、オプション品です。
ユーティリティ
| 電源 | AC 200V 5kW |
|---|---|
| 冷却水 | 市水 流量 6L/min 圧力 0.3MPa 以上 |
| 装置寸法 | W 450 × D 492 × H 219（mm）突起物除く |
| 重量 | 約24kg |
オプション
- SiC コートカーボンサセプタ
- 真空排気系（RP、DRY、TMP など）
- ガスフローユニット（浮子式流量計）
- 冷却水フロースイッチ
- 逆止弁（リリーフバルブ）
- 電源ケーブル、冷却水ホース
- 冷却水循環装置
- ハンディースポットウェルダ（HS-9000）
- ハンディーアークウェルダ（HA-1H）
