スパッタリング装置 RFS-201
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RFS-201の導入・購入・検討について
RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。
金属、半導体、絶縁物の成膜が可能なため、基礎研究開発等の実験用に最適です。
特長
- 絶縁物・金属・半導体材料のスパッタ装置です。
- メインポンプに油拡散ポンプを使用しています。
- Φ80mm×1基のカソードで、単層成膜が可能です。
- コンベンショナルスパッタで、スパッタ速度20nm/min(SiO2)が得られます。
仕様
型式 | RFS-201 | |
真空性能 | 到達圧力 | 6.6×10-4Pa |
排気時間 | 6.6×10-3Pa/5min | |
真空槽 | 真空槽 | 金属チャンバー(200mm(W)×250mm(D)×150mm(H)) |
カソード | Φ80mm、1元 | |
基板推奨サイズ | Φ80mm×t1-5mm | |
有効成膜範囲 | 50mm | |
成膜速度 | SiO2 成膜にて、20nm/min以上 | |
膜厚分布 | SiO2 成膜にて、50mm領域±8%以内 | |
基板加熱温度 | Max 350℃ | |
基板/電極間距離 | 30~50mm(可変) | |
排気系 | メインポンプ | 油拡散ポンプ(水冷) 150L/sec |
液体窒素トラップ | オプション | |
補助ポンプ | 油回転真空ポンプ 100L/min | |
オイルミストトラップ | オイルミストトラップ OMT-100A | |
操作系 | メインバルブ | クラッパーバルブ |
補助バルブ | 三方向バルブ | |
自動リークバルブ | オプション | |
操作 | 手動 | |
制御系 | RF電源 | Max 300W (0~300W可変) |
ピラニ真空計 | G-TRAN | |
電離真空計 | オプション | |
設置 | 最大寸法 | 764mm(W)×723mm(D)×1648mm(H) |
質量 | 260kg |
ユーティリティ
型式 | RFS-201 |
所要電気量 | 200V 単相 50/60Hz 2.8kVA |
アース端子 | A種 (接地抵抗値 10Ω以下) |
所要水量 | 5.0 L/min (水温:25℃以下、水圧:200?300kPa (ゲージ圧)) |
取り合い (電源) | ビニルキャプタイヤケーブル(R2-5 圧着端子付) 4m |
取り合い (アース) | アースケーブル(銅板) 4m |
取り合い (水) | テトロンブレードホース(内径9mm×外径15mm)、4m(2本) |
寸法図

真空槽内部構成
基本構成
[1] | 筐体 |
[2] | 陰極 |
[3] | 陽極 |
[4] | シャッター |
[5] | 電流導入端子 |
[6] | 熱電対導入端子 |
[7] | ゲージポート |
[8] | ホルダー |
[9] | バッキングプレート |
[10] | ターゲット |
[11] | 予備ポート |
[12] | 正面扉 |
ホルダー図
[標準]

※研究開発の目的に合わせて、カスタマイズいたします。
オプショナルパーツ
●液体窒素トラップ | ●電離真空計 |
●マグネトロン電極 | ●インライントラップ(OMI-100) |
●ターボ分子ポンプ | ●DC電源 |
●導入ガス2系統、3系統 | ●油回転真空ポンプ自動リークバルブ |