高速分光エリプソメータ UNECSシリーズの測定事例｜Technology｜ソリューション｜ULVAC SHOWCASE

Technology

高速分光エリプソメータ UNECSシリーズの測定事例

測定例（繰返し性は、連続10回取得した測定結果の標準偏差(1σ)）

1. 有機EL：Alq3／ガラス　単層膜

img-ellipsometer-kiban01.png

4サンプルで膜厚と屈折率を測定し、膜厚は触針式段差計と非常に高い相関が取れます。

サンプル A B C D
測定対象 屈折率 膜厚 屈折率 膜厚 屈折率 膜厚 屈折率 膜厚
N D(nm) N D(nm) N D(nm) N D(nm)
UNECS測定値 1.712 118.5 1.728 115.8 1.731 115.0 1.729 112.1
触針式段差計 － 118.4 － 111.8 － 116.1 － 109.3

2. 薄膜太陽電池：SiO2／μc-Si／ガラス　2層膜

img-ellipsometer-kiban02.png

20nm程度のSiO2薄膜も問題なく測定。トータル膜厚（SiO2+μc-Si）では触針式段差計と非常に高い相関が得られます。

サンプル A B C
測定膜 μc-Si SiO2 μc-Si+
SiO2		 μc-Si SiO2 μc-Si+
SiO2		 μc-Si SiO2 μc-Si+
SiO2
UNECS測定値 509.9 18.2 528.1 523.2 13.8 537.0 518.8 21.7 540.4
触針式段差計 － － 525.4 － － 541.4 － － 546.3

3. SiO2単層膜

2nm程度の薄膜でも再現性（繰り返し性）は良好です。

img-ellipsometer-kiban03.png

計測値　*1) 繰返し性σ
SiO2膜厚 1.96 nm 0.03 nm

4. レジスト単層膜（膜厚・屈折率同時測定）

2nm程度の薄膜でも再現性（繰り返し性）は良好です。

img-ellipsometer-kiban04.png

計測値　*1) 繰返し性σ
レジスト膜厚 (設計膜厚50nm) 50.95 nm 0.05 nm
レジスト屈折率　*2) 1.576 0.02

5. レジスト / BARC　２層膜

img-ellipsometer-kiban05.png

計測値　*1) 繰返し性σ
レジスト膜厚 (設計膜厚50nm) 48.17 nm 0.72 nm
BARC膜厚（設計膜厚65nm） 67.16 nm 0.76 nm

6. レジスト　３層膜（膜厚・屈折率同時測定）

最上層トップコートの膜厚・屈折率を同時測定しています。

img-ellipsometer-kiban06.png

計測値　*1) 繰返し性σ
トップコート膜厚 (設計膜厚30nm) 28.79 nm 0.05 nm
トップコート屈折率　*2) 1.342 0.001

7. ALD成膜　HfO2（酸化ハフニウム）極薄膜

測定したウェーハ中心付近のHfO2膜厚（5.85nm、2.46nm）は、TEM（透過型電子顕微鏡）での測定値（6.0nm、2.5nm）とほぼ一致しました。（UNECSの測定信頼性が確認できました）

【測定モデル】

膜種
最上層 HfO2
中間層 SiO2
基板 Siウェーハ

【測定結果】

サンプル 膜厚 中心近辺の膜厚
（nm）
最大値
（nm）		 最小値
（nm）		 平均値
（nm）		 均一性
（%）
5nm Hfo2/自然酸化膜/Si基板 6.12 5.63 5.83 4.2% 5.85
2nm Hfo2/自然酸化膜/Si基板 2.56 2.37 2.45 3.9% 2.46

img-ellipsometer-13.png

もっとみる

Technology

ソリューション

このサイトでは、お客様の利便性や利用状況の把握などのためにCookieを使用してアクセスデータを取得・利用しています。Cookieの使用に同意する場合は、
「同意しました」をクリックしてください。「個人情報保護方針」「Cookie Policy」をご確認ください。

同意しました